[旺宏2019年投資不縮手 3D NAND製程直攻96層][DIGITIMES][2019-01-25]

odafan

儘管2019年上半前景保守看待，但相較於三星電子(Samsung Electronics)等三大記憶體廠放緩擴產、南亞科也宣布減少資本支出，旺宏積極提升製程腳步不變，2019年資本支出將上看近150億元，除了提升12吋廠製程技術，而3D NAND製程也將直攻上96層，預計2020年底邁入試量產。

旺宏總經理盧志遠表示，目前產能配置情況，12吋晶圓廠的月產能約為2萬片，包括19奈米的NAND Flash、55奈米NOR Flash產品各佔1萬片，而8吋廠的月產能約近5萬片，其中2萬多75奈米的NOR Flash，其他為晶圓代工。

雖然整體市況的不確定性很高，但旺宏仍將依照計畫積極投入研發，由於董事會通過新增資本支出約142億元，將用於提升12吋廠製程，預計2019年資本支出將達到149億元左右，而全年折舊攤提費用共近約29億元，比2018年增加10億元。

目前旺宏的8吋廠可以生產75nm製程，適合用於工業與汽車等利基型產品，且8吋廠已全部折舊完畢，其價格與12吋沒有差別，並通過客戶產品認證，並承諾長期供貨，在成本上具有競爭力。

至於12吋廠製程提升後，NAND製程將可從36奈米全速轉成19奈米，其Die size將可以縮小1倍，在eMMc NAND市場將是全球唯一提供1Gb、4Gb的供應商，而NOR Flash在12吋晶圓製程將可快速進入55奈米，有利於繼續拓展汽車市場。

雖然近期SLC NAND面臨市場供給過剩、價格下滑等問題，不過旺宏19奈米製程在1月底將正式量產，由於具有成本優勢，將有助於減緩跌價的壓力。旺宏董事長吳敏求先前也指出，19奈米製程將可供應現有NAND大廠無法供應的產品，許多客戶抱有很大期望，看好將對後續營收帶來的貢獻。

旺宏先前曾指出，3D ROM研發受到時程來不及配合，內部已取消該產品線，未來會以3D NAND供貨給日系遊戲機客戶。盧志遠也表示，目前3D NAND研發將會全力進行，隨著2D NAND已經進入最高19奈米，NOR Flash製程也轉進55奈米，未來公司資源將集中於3D NAND開發，以滿足ROM的主要客戶。

盧志遠進一步指出，針對3D NAND製程研發計畫，目標將會直攻96層製程，但產品將可提供48層及96層，包括供應256 Gb、128Gb等產品，由於ROM應用要求特殊屬於利基市場，目前內部預計將於2020年底進入試量產。...

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